日本valcom壓力傳感器的原理及產(chǎn)品介紹
在硅片受壓部(硅膜片)中,與通常的IC制造工序一樣,通過雜質(zhì)擴(kuò)散形成硅規(guī)。
當(dāng)對硅片施加壓力時(shí),儀表電阻會(huì)根據(jù)撓度而變化,并轉(zhuǎn)換為電信號。(壓阻效應(yīng))
該量規(guī)的特點(diǎn)是量規(guī)比大。(金屬規(guī)格為2-3,硅規(guī)格為數(shù)十至100)。
結(jié)果,可以獲得高輸出,使得可以用厚膜片制造,并且提高了壓力傳感器的耐壓性。
半導(dǎo)體型壓力傳感器
VDP4、VSW2(低壓用)等
半導(dǎo)體膜片式壓力傳感器是與測量介質(zhì)直接接觸的具有高耐腐蝕性的金屬膜片(相當(dāng)于哈氏合金C-22、SUS316L等),以及通過傳感器檢測壓力的硅片(硅膜片)。密封硅油。) 用于雙隔膜方法。
通過壓力入口與測量介質(zhì)直接接觸的是SUS316L隔膜(或哈氏合金C-22等效),可以穩(wěn)定測量不浸入的介質(zhì)(空氣、水、油等)它... [連接螺釘形狀為 G3 / 8 時(shí),使用 O 型圈(氟橡膠)密封管道。]
可以制造可以測量正壓、負(fù)壓、耦合壓力和絕對壓力的各種傳感器元件。
與介質(zhì)直接接觸的受壓構(gòu)件相當(dāng)于哈氏合金C-22,可以用SUS316L制造,因此具有優(yōu)良的耐腐蝕性。
由于檢測壓力的硅芯片的厚隔膜,具有出色的耐壓性。
半導(dǎo)體膜片式壓力傳感器
VESW、VESX、VESY、VESZ、VHR3、VHG3、VAR3、VAG3、VPRNP、VPNPR、VPNPG、VNF、HS1、HV1、AS1、AV1、NS1、NV1、VESI、VESV、VSW2、VST等.
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