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硅單晶拉制設(shè)備的溫度控制技術(shù)分析

  • 發(fā)布日期:2023-09-17      瀏覽次數(shù):546
    • 硅單晶拉制設(shè)備的溫度控制技術(shù)分析

      在坩堝中熔化多晶硅時的溫度控制以及晶種后旋轉(zhuǎn)和提拉時的溫度控制。
      從提升裝置的視口進行溫度測量。

      硅單晶拉制設(shè)備溫度控制示意圖

      單晶硅提拉過程中的溫度控制。

      目的

      如果多晶硅在坩堝中熔化或提拉的溫度不穩(wěn)定,則難以生產(chǎn)高純度的單晶,質(zhì)量也不穩(wěn)定。
      溫度是單晶化的重要因素,能夠非接觸式測量的輻射溫度計極其重要。

      客戶的要求

      我們希望通過準確捕獲熔化溫度來捕獲結(jié)晶開始的點。
      雖然測量距離往往比較長,但目標尺寸必須相對較小。換句話說,長距離需要小光斑類型。
      由于環(huán)境溫度很高,因此耐熱溫度越高越好。

      選型要點

      對于硅的溫度測量,最好在1.1μm或更小的波長下測量溫度,該波長因溫度而導(dǎo)致的發(fā)射率變化很小。
      FTKX系列和FLHX系列
      適合長距離和小光斑類型(φ0.15~)。光纖頭結(jié)構(gòu)緊湊,耐熱溫度為150℃,即使在環(huán)境溫度稍高的情況下也能安裝。
      由于頭部是分離型,因此不需要輻射熱對策。

      選定型號

      • NEW! 1ms光纖型
        半定制型,可在惡劣環(huán)境和狹窄空間使用。

        光纖式輻射溫度計FTKX系列

        測量溫度范圍:100℃~2000℃

        • 纖維類型(耐熱/耐磁場)

        • 高溫

        • 對于石英以上

        • 0.1ms/1ms快速響應(yīng)

        • 用于金屬

      • NEW! 1ms輻射溫度計,其規(guī)格可根據(jù)測量對象而改變

        無纖維輻射溫度計FLHX系列

        測量溫度范圍:90℃~2000℃

        • 高溫

        • 對于石英以上

        • 0.1ms/1ms快速響應(yīng)

        • 用于金屬


    聯(lián)系方式
    • 電話

    • 傳真

    在線交流
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