硅單晶拉制設(shè)備的溫度控制技術(shù)分析
在坩堝中熔化多晶硅時的溫度控制以及晶種后旋轉(zhuǎn)和提拉時的溫度控制。
從提升裝置的視口進行溫度測量。
單晶硅提拉過程中的溫度控制。
如果多晶硅在坩堝中熔化或提拉的溫度不穩(wěn)定,則難以生產(chǎn)高純度的單晶,質(zhì)量也不穩(wěn)定。
溫度是單晶化的重要因素,能夠非接觸式測量的輻射溫度計極其重要。
我們希望通過準確捕獲熔化溫度來捕獲結(jié)晶開始的點。
雖然測量距離往往比較長,但目標尺寸必須相對較小。換句話說,長距離需要小光斑類型。
由于環(huán)境溫度很高,因此耐熱溫度越高越好。
對于硅的溫度測量,最好在1.1μm或更小的波長下測量溫度,該波長因溫度而導(dǎo)致的發(fā)射率變化很小。
FTKX系列和FLHX系列適合長距離和小光斑類型(φ0.15~)。光纖頭結(jié)構(gòu)緊湊,耐熱溫度為150℃,即使在環(huán)境溫度稍高的情況下也能安裝。
由于頭部是分離型,因此不需要輻射熱對策。
NEW! 1ms光纖型
半定制型,可在惡劣環(huán)境和狹窄空間使用。
光纖式輻射溫度計FTKX系列
測量溫度范圍:100℃~2000℃
纖維類型(耐熱/耐磁場)
高溫
對于石英以上
0.1ms/1ms快速響應(yīng)
用于金屬
NEW! 1ms輻射溫度計,其規(guī)格可根據(jù)測量對象而改變
無纖維輻射溫度計FLHX系列
測量溫度范圍:90℃~2000℃
高溫
對于石英以上
0.1ms/1ms快速響應(yīng)
用于金屬
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