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valcom壓力傳感器工作原理分析

  • 發(fā)布日期:2024-09-12      瀏覽次數(shù):41
    • valcom壓力傳感器工作原理分析


      半導體壓力傳感器的結(jié)構(gòu)及工作原理說明

      表壓傳感器芯片結(jié)構(gòu)

      傳感器芯片結(jié)構(gòu)

      硅壓力計是通過雜質(zhì)擴散在硅芯片壓力傳感部分(硅膜片)中形成的,與普通IC制造工藝類似。
      當對硅芯片施加壓力時,應變計電阻會根據(jù)偏轉(zhuǎn)而變化,并轉(zhuǎn)換為電信號。 (壓阻效應)
      該應變計的特點是應變系數(shù)大。 (金屬規(guī)有2~3,硅規(guī)有10~100)。
      因此,可以獲得高輸出,可以制造厚膜片并提高壓力傳感器的耐壓性。

      目標型號

      半導體壓力傳感器
      VSW2(低壓用)等

      半導體膜片壓力傳感器的結(jié)構(gòu)及工作原理講解

      半導體膜片壓力傳感器由直接與測量介質(zhì)接觸的高耐腐蝕金屬膜片(相當于哈氏合金C-22、SUS316L等)和通過密封件檢測壓力的硅片(硅膜片)組成。硅油)使用雙隔膜系統(tǒng)。
      SUS316L膜片(或哈氏合金C-22同等材料等)通過壓力入口與測量介質(zhì)直接接觸,可以穩(wěn)定地測量不浸透它的介質(zhì)(空氣、水、油等)。 [當連接螺紋形狀為G3/8時,使用O型圈(氟橡膠)密封管道。 ]

      特征

      • 我們可以制造各種可以測量正壓、負壓、復合壓力和絕對壓力的傳感器元件。

      • 與介質(zhì)直接接觸的受壓部件材質(zhì)相當于哈氏合金C-22,可用SUS316L制造,因此具有優(yōu)異的耐腐蝕性。

      • 檢測壓力的硅芯片的膜片較厚,因此具有優(yōu)異的耐壓性能。

      目標型號

      半導體膜片壓力傳感器
      VESW、VESX、VESY、VESZ、VHR3、VHG3、VAR3、VAG3、VPNPR、VPNPG、VNF、HS1、HV1、AS1、AV1、NS1、NV1、VESI、VESV、VSW2、VST等

      應變片式壓力傳感器的結(jié)構(gòu)及操作說明

      應變片式壓力傳感器的結(jié)構(gòu)及操作說明

      應變片式壓力傳感器的結(jié)構(gòu)及操作說明

      將左圖所示的電阻橋粘貼在受壓部的金屬膜片的背面,將施加壓力時金屬膜片的變形量作為電壓變化進行檢測。
      由于金屬膜片表面有應變量高的地方和應變量少的地方,所以在四個地方粘貼了電阻,即使應變量不均勻也能正確檢測的結(jié)構(gòu)。

      特征

      • 沒有焊接或 O 形圈接頭,隔膜是一體式的,堅固耐用。

      • 可高精度、耐高溫(150℃)生產(chǎn)

      目標型號

      應變式壓力傳感器
      VSD4、NSMS-A6VB、HSSC、HSSC-A6V、VHS、VHST、HSMC2、HSMC、VPE、VPB、VPRT、VPRTF、VPRQ、VPRQF、VPVT、VPVTF、VPVQ、VPVQF、VPRF、VFM、VF、 VFS、VTRF、VPRF2、VPRH2 等

      薄膜壓力傳感器的結(jié)構(gòu)及工作原理講解

      薄膜壓力傳感器的結(jié)構(gòu)及工作原理講解
      測量原理

      薄膜壓力傳感器的結(jié)構(gòu)及工作原理講解

      我們的薄膜壓力傳感器是隔膜式的,使用金屬壓力表薄膜。當從壓力入口施加壓力時,膜片變形,形成在膜片上的金屬儀表薄膜變形,導致檢測到的電阻變化。
      它提供比應變計壓力傳感器更靈敏的輸出,并且還具有比半導體壓力傳感器更小的溫度系數(shù)。

      特征

      • 由于溫度系數(shù)恒定,因此溫度特性非常好。

      • 提供長期穩(wěn)定的輸出,幾乎不會隨著時間的推移而惡化

      • 可耐高溫(200℃)

      目標型號

      電壓開關(guān)2

      測量原理

      當有電流流向輸入端時,壓力會施加到金屬量規(guī)薄膜上,導致失真,表現(xiàn)為輸出側(cè)電信號的變化。



    聯(lián)系方式
    • 電話

    • 傳真

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